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本文报导了用中频感应加热提拉法生长Ce3+:YAG晶体,直径达45mm.对样品采用不同的化学试剂进行了时间不等的腐蚀,用偏光显微镜观察到不同形貌的位错蚀坑,分析了位错与晶体结构及生长工艺参数等因素之间的关系.
Ce^3：YAG晶体位错的研究
【摘 要】
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本文报导了用中频感应加热提拉法生长Ce3+:YAG晶体,直径达45mm.对样品采用不同的化学试剂进行了时间不等的腐蚀,用偏光显微镜观察到不同形貌的位错蚀坑,分析了位错与晶体结构
【机 构】
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中国科学院安徽光学精密机械研究所,中国科学院安徽光学精密机械研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2005年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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