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采用水热法-高温煅烧处理制备 NixCo1-x MoO4(x=0、0.25、0.50、0.75和1.00)纳米片阵列,利用XRD、FESEM、循环伏安法和恒流充放电测试方法,分析其晶体结构、微观形貌和赝电容性能.研究表明:Nix Co1-x MoO4纳米片阵列的晶体结构和微观形貌与 Ni 的相对含量有关;其中,晶体结构为 NiMoO4物相的 Ni0.50 Co0.50 MoO4纳米片阵列显示出高的比电容、增强的循环稳定性和高倍率放电能力,是一种性能优异的赝电容材料.