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深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体（ICP）刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件工艺提供了有益指导。
ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制
【摘 要】
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深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体（ICP）刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院半导体研究所,无锡晶凯科技有限公司,中国科学院研究生院
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2012年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(10990102);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011173)
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