【摘 要】
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利用金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）,在蓝宝石的（0001）面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的Ga N外延薄膜。利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪（HRXRD）,原子力显
【机 构】
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太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室,太原理工大学新材料工程技术研究中心,太原理工大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(61475110,61404089,21471111);山西省自然科学基金(2014021019-1,2014011016-6);山西省科技创新重点团队(2012041011)
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利用金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）,在蓝宝石的（0001）面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的Ga N外延薄膜。利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪（HRXRD）,原子力显微镜（AFM）和光致发光光谱仪（PL）对Ga N薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成核温度对Ga N外延薄膜晶体质量的影响。结果表明,在成核层生长温度为650℃时,所得到的Ga N外延薄膜表面粗糙度和位错密度均达到最低,并且同时具有最高的带边发光峰强度,最高的载流子迁移率以及最低的载流子浓
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