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利用活化气体做氧源 ,使生长气压比普通脉冲激光沉积方法 (PLD)低 2~ 3个数量级 ,用激光分子束外延在SrTiO3 ( 1 0 0 )衬底上制备出临界转变温度Tc0 =85~ 87K ,临界电流密度Jc≥ 1× 1 0 6A/cm2 的高质量YBCO超导薄膜 .原子力显微镜 (AFM)测得表面无明显颗粒 ,均方根粗糙度约为 7.8nm .在这种薄膜基础上制备的Joseph son量子干涉器件 (DC SQUID)具有良好的温度循环稳定性