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本文主要采用离子注入的方法制备“Ｓｉ／ＹＳｉ２／Ｓｉ”异质结构，并以电子显微镜为手段研究ＹＳｉ２埋层的形成及ＹＳｉ２／Ｓｉ界面的微观结构。我们发现ＹＳｉ２埋层以“［００１］ＹＳｉ２／／［１１１］Ｓｉ”为取向关系在Ｓｉ基体中择优生长，而且注入法合成的ＹＳｉ２不存在空位有序结构。
离子注入形成YSi2埋层的电镜研究
【摘 要】
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本文主要采用离子注入的方法制备“Ｓｉ／ＹＳｉ２／Ｓｉ”异质结构，并以电子显微镜为手段研究ＹＳｉ２埋层的形成及ＹＳｉ２／Ｓｉ界面的微观结构。我们发现ＹＳｉ２埋层以“［００１］ＹＳｉ２／／［１１１］Ｓｉ”为取向关系在Ｓｉ基体中择优生长，而且注入法合成的ＹＳｉ２不存在
【机 构】
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三束材料改性国家重点联合实验室大连理工大学分部,中国科学院北京电镜实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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1996年4期
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