【摘 要】
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采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（100）衬底上制备出高介电常数La2Hf2O7栅介质薄膜.利用X射线衍射（XRD）、同步辐射X射线反射（XRR）和X射线光电子能谱（XPS）测试了薄膜的微观结构和界面特性,
【基金项目】
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河南省教育厅科技重点项目（12A140015）
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采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（100）衬底上制备出高介电常数La2Hf2O7栅介质薄膜.利用X射线衍射（XRD）、同步辐射X射线反射（XRR）和X射线光电子能谱（XPS）测试了薄膜的微观结构和界面特性,以及退火处理对其的影响.结果表明,初始制备的薄膜呈非晶态,经1 000℃退火的后处理,晶化成晶态的La2Hf2O7薄膜;生长过程当中,La2Hf2O7与Si衬底之间形成硅氧化物和硅酸盐结构的界面层,界面层的厚度与生长条件密切相关,合适的生长条件或后处理措施可以有效地抑制硅氧化物界面层出现,进而提高L
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