【摘 要】
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本文制备了二极管辅助的晶体硅磁阻（magnetoresistance,MR）器件,研究了界面二氧化硅层的磁阻放大作用及器件在硅基磁电子器件中的可能应用.通过有与无二氧化硅层的实验对比,发
【机 构】
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三峡大学理学院,三峡大学新能源研究院
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（11047011和51177088）,中国博士后基金项目支持（2013M540858）
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本文制备了二极管辅助的晶体硅磁阻（magnetoresistance,MR）器件,研究了界面二氧化硅层的磁阻放大作用及器件在硅基磁电子器件中的可能应用.通过有与无二氧化硅层的实验对比,发现引入二氧化硅层后器件的磁阻在室温和1.2T磁场下达到了527％,磁阻性能提升了76％以上.通过对无磁场作用下伏安特性的测量,证明了氧化硅层的引入增加了界面电阻,通过等效电路分析,对相关机理进行了讨论.这项工作将为硅基磁电子器件的可能应用提供一种新的方法.
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