【摘 要】
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提出了一种适用于超高频无源电子标签芯片的低功耗电压基准电路。电路采用N+注入栅的PMOS管和亚阈值区温度补偿技术。芯片采用TSMC 0.18μm CMOS混合工艺流片。测试结果表明:该芯片可以在1.2~2.4 V的电源电压范围下工作,1.2 V电源电压下电压基准电路静态功耗为60 nW。电路面积为0.01 mm2,TT/FF/SS工艺角无校准条件下输出电压温度系数为75×10-6/℃。
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提出了一种适用于超高频无源电子标签芯片的低功耗电压基准电路。电路采用N+注入栅的PMOS管和亚阈值区温度补偿技术。芯片采用TSMC 0.18μm CMOS混合工艺流片。测试结果表明:该芯片可以在1.2~2.4 V的电源电压范围下工作,1.2 V电源电压下电压基准电路静态功耗为60 nW。电路面积为0.01 mm2,TT/FF/SS工艺角无校准条件下输出电压温度系数为75×10-6/℃。
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