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提出并利用“掩模-无掩模”腐蚀的方法形成了一种新型单面多层结构的硅微压传感器,该传感器针对用体微机械双面加工的硅压阻式压力传感器的不足,从结构上给予了改进,文中给出了理论分析和实验结果。研制的微压传感器在400Pa的微小量程下,输出可达34mV/5V,非线性仅为±0.6％F.S.
单面多层结构硅微压传感器的研制
【摘 要】
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提出并利用“掩模-无掩模”腐蚀的方法形成了一种新型单面多层结构的硅微压传感器,该传感器针对用体微机械双面加工的硅压阻式压力传感器的不足,从结构上给予了改进,文中给出
【机 构】
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复旦大学电子工程系传感器研究室!上海200433; 传感技术国家重点实验室!上海200051;
【出 处】
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传感技术学报
【发表日期】
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1997年04期
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