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本文报导在Ⅱ型应变层InAs/GaSb超晶格材料上研制长波红外焦平面列阵工作的进展。美国雷神视觉系统公司和喷气推进实验室 已研制成功截止波长为10至12-1.5mmμ m的此类器件。这种器件的像元是通过湿蚀刻以及用等离子体淀积二氧化硅来进行 表面钝化而形成的。列阵则是通过铟柱焊接与硅读出集成电路混成起来的。本文介绍对列阵的测试结果以及对分立二极管进行的电流–电压特性分析。 雷神视觉系统公司和喷气推进实验室的研究人员发现,当温度低于70K时,漏泄电流在零偏压下受控于产生–复合效应,而在反向偏压下则受控于陷阱辅 助隧穿效应。虽然其他作者已验证了Ⅱ型超晶格器件的短波红外和中波红外成像性能,但在2006年之前,还没有一个人能验证这种器件在长波红外波 段内的成像性能。雷神公司和喷气推进实验室利用像元尺寸为30 m的256 256元列阵以78K的操作温度同时 获得了静物图像和视频图像,在此温度下,这种列阵具有高操作性和10.5 m的截止波长。