论文部分内容阅读
利用AFORS-HET软件模拟单晶硅异质结太阳电池的性能,实验完成后显示当加大发射层的厚度后,电池的短波响应会减弱,短路电流也会随之减小.缓冲层厚度不大于30nm时,电池的优劣波动很大.没有放入单晶硅异质时,效果很差;然而将本征非晶缓冲层放入非晶硅/单晶硅异质结界面处后,提高了电池效率.由该软件模拟的a-Si/i-a-Si：H/c-Si/i-a-Si：H/n＋a-Si双面异质结太阳电池的转换效率最高会达到32.16%.