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分析了金属-绝缘体-SiC (MISiC) 结构肖特基二极管(SBD)气体传感器敏感机理,通过将热电子发射理论与隧道理论结合,建立了器件物理模型.模拟结果表明,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关.模拟结果与实验符合较好.通过模拟,得到MISiC结构最佳绝缘层(SiO2)厚度应为1 nm左右.