【摘 要】
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“回熔”依然是Ga N-on-Si光电器件发展到今天的主要难题,严重影响量产的稳定性与器件的可靠性。当前“多腔+Al N模板”生长法能避免镓回熔,但仍然无法解决“铝回熔”。本文
【机 构】
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商洛学院化学工程与现代材料学院,南昌大学材料科学与工程学院,商洛学院,南昌大学,安徽工业大学数理科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(61864008),国家重点研发计划(2017YFB0403700),安徽省自然科学面上基金(1808085MF205)
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“回熔”依然是Ga N-on-Si光电器件发展到今天的主要难题,严重影响量产的稳定性与器件的可靠性。当前“多腔+Al N模板”生长法能避免镓回熔,但仍然无法解决“铝回熔”。本文从Al N微粒的来源,Al N生长动力学,Al N微粒引起Si衬底表面“台阶流”的局部畸变,晶格继承等方面全面分析无镓无铝环境重要性。通过对三款主流商用MOCVD进行比较分析,参考AIXTRON MOCVD G5氯气在线清洗工艺,对THOMAS SWAN CCS MOCVD气路进行改造,设计非钎焊耐氯7片机喷头,缩短喷淋头与石墨基座
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