【摘 要】
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三星850 Pro 256GB的外观与上代的840 Pro还是很相似的，拆开SSD的外壳，可以看到硬盘的PCB做得很小，芯片排列非常紧凑，4颗芯片几乎占据了PCB正面的绝大部分空间，其背面则安排的是两颗闪存和供电芯片。三星850 Pro所用的主控与840 EVO一样是MEX，内置一颗三核ARM Cortex-R4处理器，主频为400MHz，它所配的缓存是512MB的LPDDR2，当然也是三星自家的
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三星850 Pro 256GB的外观与上代的840 Pro还是很相似的，拆开SSD的外壳，可以看到硬盘的PCB做得很小，芯片排列非常紧凑，4颗芯片几乎占据了PCB正面的绝大部分空间，其背面则安排的是两颗闪存和供电芯片。三星850 Pro所用的主控与840 EVO一样是MEX，内置一颗三核ARM Cortex-R4处理器，主频为400MHz，它所配的缓存是512MB的LPDDR2，当然也是三星自家的产品。
三星850 Pro 256GB的闪存采用三星第二代86Gbit 40nm MLC V-NAND，而且还用了两种不同容量的闪存混搭而成，正面的两颗型号是K9PRGY8S7M，背面两颗的型号是K9HQGY8S5M，前者容量 86GB，内部8CE，后者容量43GB，总容量258GB，造成这样原因是86Gbit这奇怪的Die Size。至于为什么Die Size是这么奇特的86Gbit，这主要是因为86Gbit刚好是128Gbit的三分之二，事实上，三星的第二代40nm MLC V-NAND其实就是让TLC模拟成MLC来使用，让颗粒的性能与寿命接近与真正的MLC。
当然了用TLC来模拟MLC这并没有什么不好，只要闪存的性能和耐久性和MLC一样就完全没有问题，而根据Anandtech的测试，三星850 Pro使用的V-NAND闪存的P/E寿命就是6000次，相比目前的2D闪存3000次的P/E寿命来说提升了一倍。
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