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从TCAD实验出发，研究Double Diffused Drain MOSFET（简称DDDMOS）漂移区电阻与终端电压的非线性关系以及大电流效应等；以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。DDDMOS可以简化成低压MOSFET与漂移区电阻的串联网络，结合低压MOSFET模型和漂移区电阻模型，求解等效网络得出DDDMOS完整的模型。该模型在不同的电压区域都能够较好地反应TCAD模拟结果。