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日本索尼公司最新开发成功使用超临界CO2消除在制备超大规模集成电路过程（VLSIs）中的干燥-蚀刻残留的光刻胶。据这家电子设备制造商称：上述技术能使VLSIs的低介电常数层间薄膜和底板不受损伤。
日使用超临界CO2消除残留的光刻胶
【摘 要】
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日本索尼公司最新开发成功使用超临界CO2消除在制备超大规模集成电路过程（VLSIs）中的干燥-蚀刻残留的光刻胶。据这家电子设备制造商称：上述技术能使VLSIs的低介电常数层间薄膜和
【出 处】
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上海化工
【发表日期】
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2005年9期
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