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利用二维器件模拟软件ISE对50nm沟道长度下SOI-DTMOS器件性能进行了研究，并与常规结构的SOI器件作了比较．结果表明，在50nm沟长下，SOI-DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件．SOI-DTMOS器件具有更好的亚阈值特性，其亚阈值泄漏电流比常规SOI器件小2～3个数量级，从而使其具有更低的静态功耗．同时，SOI-DTMOS器件较高的驱动电流保证了管子的工作速度，并且较常规SOI器件能更有效地抑制短沟道器件的穿通效应DIBL及SCE效应，从而保证了在尺寸进一步减小的情况下管子的性能．对SO