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采用传统的高温固相反应合成了基质掺杂的Cd（RE1Si）O3：Sm^3＋（RE=A1，Ga，V，Mo，Zr，Ti，W）长余辉发光材料。用荧光光谱仪研究了对CdSiO3：Sm^3＋体系进行不同离子的掺杂所得样品的光谱性质。对离子掺杂影响产物性能的研究表明，掺杂离子电荷是主要的影响因素。具有较高电荷鲋Mo、W的掺杂对产物的余辉时间具有明显的增强作用，其余辉时间分别达到453s和924S。