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采用两只经过标定的ST401闪烁探测器，测量了脉冲中子管的中子产额，在其中一只探测器前端增加铅板屏蔽，1cm的铅屏蔽使探测器输出减少了18．20％，在加速器中子源上进行的类似实验表明，0．5cm的铅使探测器的输出减少了2．90％。对两个中子源上测量的情况进行了蒙特卡罗模拟，加速器实验与模拟符合较好，脉冲中子管实验差别较大。对实验和模拟的情况进行了分析，结果表明：中子管除产生中子外，还会产生数量较多的轫致辐射x射线，这些X射线对准确测量中子管中子产额将造成不良影响。