【摘 要】
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In this article,we present the existence,uniqueness,Ulam-Hyers stability and Ulam-Hyers-Rassias stability of semilinear nonautonomous integral causal evolution
【机 构】
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School of Mathematical Sciences,Chongqing Normal University,Chongqing 401331,China;Department of Mat
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In this article,we present the existence,uniqueness,Ulam-Hyers stability and Ulam-Hyers-Rassias stability of semilinear nonautonomous integral causal evolution impulsive integro-delay dynamic systems on time scales,with the help of a fixed point approach.We use Gr?nwall\'s inequality on time scales,an abstract Gr?wall\'s lemma and a Picard operator as basic tools to develop our main results.To overcome some difficulties,we make a variety of assumptions.At the end an example is given to demonstrate the validity of our main theoretical results.
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介绍了透射电镜研究磁性斯格明子的原理,以及利用透射电镜结合温度、电流、磁场等外场原位技术协同调控拓扑磁畴结构的方法。该调控方法不仅可以高分辨率表征静态磁性斯格明子的自旋组态,还可以原位、实时展示外场调控的动力学过程,具有在实空间、原位、实时、高分辨率解析斯格明子演变的优势。综述了该方法在中心对称块体、对称性破缺材料和铁磁薄膜等3个主要磁性材料体系中,对拓扑磁畴结构的调控作用。获得了宽温区、高密度、零场非易失性的斯格明子,分析了拓扑磁畴结构的温度稳定性、高密度和非易失性,揭示了磁各向异性对斯格明子自旋组态和
为得到功能材料亚埃尺度的结构信息并进行定量分析,首先获得材料微观结构的像差校正高分辨原子像,之后对高分辨原子像进行形态学处理,拟合、定量计算每个原子的中心位置,得到原子极化皮米级位移,并进行误差分析。利用原子位置精确定位方法进一步对铁电薄膜PbTiO3中的90°畴结构以及畴壁进行定量分析,得到了单畴的原子位移量以及“头对尾”畴界的单胞尺度极化。对LaCoO3薄膜的原子分辨环形明场像进行定量分析,得到了氧八面体倾转角度大小及其在界面位置的变化。本方法可在皮米精度有
冷烧结技术是一种超低温烧结工艺,烧结温度一般低于300℃,它使用中间液相(如水、酸性溶液、碱性溶液等)和外部压力来帮助粉末致密化,可有效解决陶瓷材料在界面控制、物相稳定性和复合烧结等方面遇到的困难。本文综述了冷烧结技术的烧结机理和其在电介质材料中的应用,重点阐述了冷烧结技术在微波介质陶瓷、铁电压电陶瓷、陶瓷-有机物、陶瓷-无机添加剂以及多层共烧材料中的应用。冷烧结技术可以实现多种电介质材料的超低温烧结,特别有利于实现不同属性材料的共烧,并且获得传统烧结无法达到的优异性能;但因提出时间较短、烧结机理相对复杂
采用常规固相法制备Bi0.44Na0.50Ba0.06TiO3-δ与Bi0.50Na0.44Ba0.06TiO3+δ无铅陶瓷,在不同温度烧结了两类陶瓷,对比分析了两类陶瓷的晶体结构、显微组织、介电和铁电性能。结果发现1150℃烧结的两类陶瓷具有纯钙钛矿结构,致密性良好,相对密度高于97%。介电测试结果表明两类陶瓷的介温谱存在显著差别
MgTiTa2O8微波介质陶瓷具有适中的介电常数以及较高的Q×f值,但其τf值偏大,无法应用到实际的器件中。为改善MgTiTa 2O 2微波介质陶瓷性能,采用传统固相反应法制备Mg(Ti 1-x Zr x)Ta 2 O 8(x=0.2,0.4,0.6,0.8)微波介质陶瓷材料,并研究了Zr 4+取代Ti 4+对MgTiTa2O8微波介质陶瓷微观结构以及微波介电性能的影响。结果发现,随着Zr 4+掺杂量的逐渐增加,陶瓷内
采用无籽晶固相晶体生长技术制备了MnO2掺杂99.3K 0.5 Na 0.5 NbO3-0.4LiBiO3-0.3CaZrO3(KNN-LB-CZ)无铅压电单晶,研究了Mn含量变化对KNN-LB-CZ单晶的生长、结构和压电性能的影响。结果表明,在不同生长温度下,MnO2的添加均呈现出抑制晶体生长的趋势,当MnO2的摩尔分数为0.125%~0.5%时,样品上表面中的单晶化面积由
BiScO3-PbTiO3(BS-PT)压电陶瓷具有高居里温度和优良的电学性能,已成为高温环境工作的首选材料之一。采用固相法制备0.36BS-0.64PT和1wt%Pb-0.36BS-0.64PT压电陶瓷,研究不同烧结工艺对两种陶瓷组分相结构和性能的影响规律,确定最佳烧结工艺参数和最佳极化工艺条件。结果表明:随烧结温度的升高,陶瓷结构中四方相的含量增加,三方相含量减少。通过对烧结工艺及极化工艺的调控,在1wt%Pb-0.36BS-0.64PT组分中获得最优性能:
结合普通球磨与高能球磨法,制备了具有纯相、平均粒度约100 nm的K0.5Na0.5NbO3前驱粉体,前驱粉体加入一定量的去离子水作为液相,采用冷烧并退火工艺制备具有简单组成的K0.5Na0.5NbO3陶瓷。研究了冷烧温度、冷烧时间、压力等对冷烧试样物相和致密性的影响,对冷烧试样在不同温度进行退火,研究了退火温度对陶瓷的介电和铁电性能的影响。结果表明:在180℃冷烧并1100
采用固相反应法合成了Sr1-xLaxFe12O19(x=0,0.05,0.1和0.15)陶瓷样品。结构分析表明,镧掺杂对样品的晶胞参数能够产生影响,但不会对形貌产生影响。介电性能分析表明,掺杂陶瓷的介电常数比纯SrFe12O19陶瓷有明显提高,但是介电损耗也相对较大,其介电性能主要是由Maxwell-Wagner界面极化效应造成。磁性能分析表明,随着镧掺杂量的增加,饱和磁化强
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