IGBT的du/dt有源门极控制技术的研究

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为减小绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的开关损耗,正常工作时要求使其快速开通和关断。但在大电流或过流情况下,快速开通和关断会导致di/dt和duce/dt过大。而较大的du/dt会使IGBT误触发导通,使得IGBT控制失效。设计了一种能控制IGBT duce/dt的新型有源门极控制电路,并进行了分析。给出了仿真和实验结果,验证了新型有源门极控制电路的正确性。
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