硅应力缓冲衬底上GaAs薄层转移探索

来源 :光电子．激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lv_yj

【摘要】

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本文研究晶格失配较大的Ⅲ-Ⅴ族化合物向Si基底转移薄层的技术,为此制备了Si/SiO2/Si结构的应力缓冲衬底.利用智能切割(smart-cut)技术制备薄层GaAs并以低温SiO2层过渡与应力

【作者】

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孙钟林耿卫东陆靖谷

【机构】

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南开大学光电子所

【出处】

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光电子．激光

【发表日期】

：

2001年12期

【关键词】

：

砷化镓薄层转移薄膜硅应力 ArsenicCuttingGalliumSiliconThin films

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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本文研究晶格失配较大的Ⅲ-Ⅴ族化合物向Si基底转移薄层的技术,为此制备了Si/SiO2/Si结构的应力缓冲衬底.利用智能切割(smart-cut)技术制备薄层GaAs并以低温SiO2层过渡与应力缓冲衬底相键合,达到GaAs向Si基底的转移目的.并对结果进行了分析和讨论,认为该技术是可行的. 同时特别强调了低温淀积SiO2层的完美性对最终转移的GaAs薄层的完整性是重要的.

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