异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gxx123456

【摘要】

：

GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基In0.05Ga0.95As异变过

【作者】

：

王鹏飞熊永华吴兵朋倪海桥黄社松牛智川

【机构】

：

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2008年S1期

【关键词】

：

分子束外延 INAS量子点异变过渡层光致发光谱 MBE InAs quantum dots metamorphic buffers photolumines

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GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基In0.05Ga0.95As异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结构,同时利用InGaAs盖层中引入Sb辅助生长的方法,通过改变生长温度、淀积量以及In组分等生长参数,最终得到了室温光致发光波长为1533nm的InAs量子点结构,谱线半高宽为28.6meV,经原子力显微镜测试表明,其密度为(4~8)×109cm-2

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