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采用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上制备出择优取向的MgO薄膜，随后在其上生长出具有择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜。实验发现，MgO缓冲层的应用可以大大提高SBN薄膜的择优取向性能。同时，用五层对称理想波导耦合模理论，以SBN为波导层，分析了波导损耗与厚度的关系，通过对计算出的理想结果与实际相结合，以及对SBN在生长过程工艺与损耗关系的研究，制备出高质量、低损耗的SBN薄膜，为其在电光波导调制器等微系统中的应用打下良好的基础。