【摘 要】
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采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学固体电子学系,华中理工大学激光技术国家重点实验室,华中理工大学激光技术国家重点实验室,Argonne National Laboratory Argonne Il
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采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的记忆窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。
A pulsed excimer laser was used to successfully deposit ferroelectric thin films with multi-layer structure such as BIT, PZT / BIT and BIT / PZT / BIT on p-type Si (100) single crystal substrate. The memory window of their CV characteristic curve is analyzed. The relationship between memory window and frequency, the relationship between memory window and multi-layer structure are discussed. The results show that the C-V memory window of the three-layer ferroelectric thin film is superior to the double-layer and single-layer ferroelectric thin films.
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