【摘 要】
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电子原子散射中的S,T,U参数可用来描述散射前后自旋状态的变化,研究精细结构水平上的散射激发振幅之间的关系,进而揭示电子原子碰撞过程中电子自旋-轨道耦合以及电子-电子交
【机 构】
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东华理工学院核资源与环境教育部重点实验室,南昌,330013东华理工学院物理系,抚州,344000;东华理工学院核资源与环境教育部重点实验室,南昌,330013;东华理工学院物理系,抚州,344000
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电子原子散射中的S,T,U参数可用来描述散射前后自旋状态的变化,研究精细结构水平上的散射激发振幅之间的关系,进而揭示电子原子碰撞过程中电子自旋-轨道耦合以及电子-电子交换等自旋相关效应.采用扭曲波玻恩近似计算了钠原子受电子散射S→P跃迁中的S,T,U参数,分析了多种入射能(2.2-60 eV)的电子与钠原子激发S→P跃迁过程的S,T,U参数随散射角的分布,其中对10 eV入射能的Sp参数与已报道实验数据符合一致.结果表明,较低能电子入射下的S,T,U参数随散射角的分布幅度和起伏都比较明显,入射能大于40 eV的电子入射,S,T,U参数的散射角分布变化很小.
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