【摘 要】
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用均相沉淀法制备了不同形状和尺寸的CeO2超细粉体,并配制成不同pH值的抛光液对硅片进行化学机械抛光.研究了不同粒径CeO2磨料的抛光效果,结果表明,微米级的CeO2磨料粒径比较
【机 构】
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江苏大学材料科学与工程学院,江苏大学材料科学与工程学院
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用均相沉淀法制备了不同形状和尺寸的CeO2超细粉体,并配制成不同pH值的抛光液对硅片进行化学机械抛光.研究了不同粒径CeO2磨料的抛光效果,结果表明,微米级的CeO2磨料粒径比较大,切削深度比较深,材料的去除是以机械作用为主.随着磨料粒径的减小,切削深度随之减小,材料以塑性流动的方式去除,最终在2μm的范围内得到了微观表面粗糙度Ra=0.120nm的超光滑表面.实验证明,CeO2磨料对硅片具有良好的抛光效果.
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