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提出新型隔离结构的光寻址电位传感器（LAPS）阵列.该传感器采用P型绝缘体上的硅（SOI）衬底,利用SOI顶硅层中的硅隔离槽结合重掺杂P＋区进行相邻阵列单元的隔离.SOI LAPS阵列的ISE-TCAD仿真结果表明,与传统的厚氧隔离和重掺杂隔离方法相比,槽隔离结构可以有效地改善相邻阵列单元的噪声隔离特性.重掺杂隔离LAPS阵列传感器的隔离度为3.5dB,槽隔离LAPS阵列传感器的隔离度可达180dB.样品实测结果表明,隔离槽和P＋双重隔离结构SOI LAPS阵列传感器的隔离度为97.23dB,厚氧和P＋双