【摘 要】
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分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院、教育部宽禁带半导体重点实验室
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分析了碳化硅(SiC)功率器件的研究现状与发展趋势,给出了在SiC功率整流二极管、SiC功率晶体管以及关键工艺中取得的最新研究成果。研制出了具有较好整流特性的SiC肖特基势垒二极管,并对其输运机理和高温特性进行了研究。研制成功了国内第一个SiC MPS二极管,耐压高达600V,正向电压为3.5V时电流密度可达1000A/cm2。研制出国内第一个SiC MOSFET和第一个SiC BCMOSFET。所制备的SiC BCMOSFET可得到最高为90cm2/(V.s)的有效迁移率。分析了界面态电荷和界面粗糙对SiC MOSFET反型层迁移率的影响,其结果对提高SiC MOSFET器件特性有一定指导作用。
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