【摘 要】
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本文重点分析了应变Si Ge PMOSFET器件热载流子形成的机制,建立了栅电流模型,该模型增加了量子阱和平均自由程对电流的影响,通过仿真研究了栅氧化层厚度、沟道Ge组分对应变Si
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本文重点分析了应变Si Ge PMOSFET器件热载流子形成的机制,建立了栅电流模型,该模型增加了量子阱和平均自由程对电流的影响,通过仿真研究了栅氧化层厚度、沟道Ge组分对应变Si Ge PMOSFET器件栅电流的影响,仿真结果与实际情况一致,这为应变Si Ge MOSFET器件及集成电路的研究提供了理论与实践依据。
This paper focuses on the mechanism of hot carriers formation in strained SiGe PMOSFET devices and establishes a gate current model which increases the effect of quantum well and mean free path on the current. The gate oxide thickness, the channel Ge The influence of the composition on the gate current of the strained SiGe PMOSFET device is simulated. The simulation results are consistent with the actual situation. This provides theoretical and practical basis for the research of strained SiGe MOSFET devices and integrated circuits.
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