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采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.
MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究
【摘 要】
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采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,中国科学院半导体所半导体照明研发中心,中国科学院苏州纳米技术及纳米仿生研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
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