【摘 要】
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为了降低IGBT的关断时间与导通压降,并且折衷关断损耗与导通压降之间的关系,提出一种具有阳极NPN结构的Si/SiC异质结IGBT器件。该器件在SiC-IGBT的基础上,阳极处引入Si材料,并进行NPN掺杂。Si与NBuffer结合成N-Si/N-SiC异质结,形成阳极NPN三级管结构。相比于SiC的价带,Si/SiC异质结处拥有较高的价带能级,利用异质结价带差,当器件关断时,阳极端可以快速抽取异质结附近的空穴,降低关断时间。此外NPN三级管结构在关断时开启,抽取载流子。在2种抽取载
【基金项目】
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国家自然科学基金(61464003,61874036),广西自然科学基金(2018GXNSFAA281201),桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2020YCXS033)。
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为了降低IGBT的关断时间与导通压降,并且折衷关断损耗与导通压降之间的关系,提出一种具有阳极NPN结构的Si/SiC异质结IGBT器件。该器件在SiC-IGBT的基础上,阳极处引入Si材料,并进行NPN掺杂。Si与NBuffer结合成N-Si/N-SiC异质结,形成阳极NPN三级管结构。相比于SiC的价带,Si/SiC异质结处拥有较高的价带能级,利用异质结价带差,当器件关断时,阳极端可以快速抽取异质结附近的空穴,降低关断时间。此外NPN三级管结构在关断时开启,抽取载流子。在2种抽取载
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