【摘 要】
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研究了添加1%Al2O3(摩尔分数)和前驱体'清除'晶界杂质两种改善晶界导电性能的方法,对四方氧化锆(3%Y2O3-doped tetragonal zirconia,3YTZ)陶瓷烧结体的导电性能的影
【机 构】
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湖南大学化学化工学院,中国原子能研究院
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研究了添加1%Al2O3(摩尔分数)和前驱体'清除'晶界杂质两种改善晶界导电性能的方法,对四方氧化锆(3%Y2O3-doped tetragonal zirconia,3YTZ)陶瓷烧结体的导电性能的影响.运用XRD,SEM分析了它们的相组成及其微观结构.在200～750℃下进行交流阻抗谱测试,结果表明:2种方法均对晶界导电性能有明显改善.Al2O3自ZrO2晶界进入晶粒,参与替代锆原子,与氧离子空位形成缔合物,降低了氧离子空位浓度,引起晶粒电阻有所增大,但前驱体'清除'对
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