论文部分内容阅读
探索(Ba1-xTbx)(Ti1-xTbx)O3(x=0.05)陶瓷(BTTT5)的自补偿模式及介电性质.结果表明:BTTT5具有单相四方钙钛矿结构.Tb离子以Ba位Tb3+和Ti位Tb4+的混合价形式存在,Tb3+Ba-Tb3+Ti缺陷复合体的自补偿模式不能形成,且Ba空位和Ti空位缺陷共存.对BTTT5实现了介电温度稳定的X5S指标,并显示极低的介电损耗(tanδ〈0.02),是一个有前途的介电材料.