溅射气压对碳硅氧薄膜透过率及光学带隙的影响

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采用射频磁控溅射技术在玻璃基底和单晶硅片(100)上制备了碳硅氧(Si OC)薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱及紫外可见透射光谱等技术手段对其进行了分析,研究了在不同溅射气压下所制备薄膜的组分、透过率及光学带隙。结果表明:随着溅射气压的增大,薄膜内部sp^3键含量、透过率及光学带隙均随之增大,sp^3键及其形成的宽带隙σ键对薄膜光学带隙有着较大影响。在溅射气压为3.0 Pa的条件下,薄膜光学带隙为2.67 e V。
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