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在集成电路封装过程中，表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因，而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点。本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理；进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的氧化膜厚度，通过对测量数据拟合得到铜框架氧化膜生长曲线，从而可以预测铜框架在封装过程中的氧化程度，为集成电路封装工艺的设计和管控提供依据。