重掺多晶氧化法LDD—CMOS高性能电路的优化设计与研制

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a419132258
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对重掺多晶氧化法(HDPO)应用于LDD IC中的工艺条件进行了优化,并实现了HDPO-LDD电路.研究了HDPO-LDD器件的性能和热载流子效应,同时对器件进行计算机模拟,对HDPO-LDD进行优化设计,获得了优化参数.综合优化设计的工艺条件和参数,成功地应用于亚微米NMOSFET,1μm沟道长的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的CMOS 21级环振和2.5μm沟道长的LSI CMOS IC,性能优良,高速,稳定,可靠.
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