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采用催化化学气相沉积法（Cat-CVD）制备多晶硅（p-Si）薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅（a-Si）孕育层。这层孕育层作为p-Si的前驱生长物，给p-Si的晶化提供晶核，同时这层薄膜又存在较多的缺陷，严重影响了p-Si器件的性能。文章采用p-Si的间断生长，对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀，目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si-Si键，保留与晶体硅匹配的Si-Si键，促进晶核形成，抑制孕育层的再生长。经XRD和SEM测试发现，间断p-Si的生长，经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成，结