【摘 要】
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将酒石酸插层水滑石（TA-HT）分散于壳聚糖（CS）溶液中,制备了新型的薄膜修饰电极.采用X射线衍射仪（XRD）、红外吸收光谱仪（IR）对酒石酸插层水滑石进行了表征,循环伏安法（CV）对修饰电极进行
【机 构】
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沈阳化工大学化学工程学院,中国石油抚顺石化公司乙烯化工厂
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将酒石酸插层水滑石（TA-HT）分散于壳聚糖（CS）溶液中,制备了新型的薄膜修饰电极.采用X射线衍射仪（XRD）、红外吸收光谱仪（IR）对酒石酸插层水滑石进行了表征,循环伏安法（CV）对修饰电极进行了电化学表征,线性扫描溶出伏安法（LSSV）研究pb2＋在修饰电极上的电化学行为.与裸电极相比,修饰电极的电化学活性得到很大的提高.pb2＋在5～180μg/L的浓度范围内与其峰电流呈良好的线性关系,相关系数为0.997,检测限可达1μg/L.测定0.1 mg/LPb2＋,当相对误差在±5％范围时,2
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