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在自旋一轨道劈裂阵模型下，通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数，其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响，而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获，非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程；本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化。
氙激光等离子体的双电子复合过程研究
【摘 要】
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在自旋一轨道劈裂阵模型下，通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数，其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响，而忽略了因碰撞跃迁引起的电子
【机 构】
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北京邮电大学理学院
【出 处】
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原子与分子物理学报
【发表日期】
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2007年5期
【基金项目】
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基金项目：国家自然科学基金（60054402）
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