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金丝键合偏差对微波组件电性能的影响
金丝键合偏差对微波组件电性能的影响
来源 :电子工艺技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xibao774313066
【摘 要】
:
针对微波组件的关键误差源——金丝键合偏差进行研究,通过实验和仿真的方法,确定其对微波组件电性能的影响。结果表明,金丝的键合距离与拱高的增加都会导致传输损耗的增加,驻
【作 者】
:
张阳阳
胡子翔
王梅
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第三十八研究所国家级工业设计中心
【出 处】
:
电子工艺技术
【发表日期】
:
2020年4期
【关键词】
:
微波组件
金丝键合
电性能
有限元仿真
microwave componentAu wire bondingelectrical propertyfinite
【基金项目】
:
基础科研资助项目(JCKY2016210B002)
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针对微波组件的关键误差源——金丝键合偏差进行研究,通过实验和仿真的方法,确定其对微波组件电性能的影响。结果表明,金丝的键合距离与拱高的增加都会导致传输损耗的增加,驻波比增大,S21减小。
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