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本文提出一种沟道长度为0．125μm 的异质结CMOS（HCMOS）器件结构。在该结构中，压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS（HPMOS）与异质结NMOS（HNMOS）的沟道材料，且HPMOS与HNMOS为垂直层叠结构；为了精确地模拟该器件的电学特性，修正了应变SiGe与应变si的空穴与电子的迁移率模型；利用Medici软件对该器件的直流与交流特性，以及输入输出特性进行了模拟与分析。模拟结果表明，相对于体SiCMOS器件，该器件具有更好的电学特性，正确的逻辑功能，且具有更短的延迟时间，同