自旋电子学及其器件

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1988年Fert与Grunberg科研小组彼此独立地在铁/铬多层膜纳米结构中发现了高达50%的磁电阻效应,从此自旋电子学诞生了。目前,自旋电子学已经发展出磁读头、磁电隔高耦合器、磁随机存储器(MRAM)、微波探测器等器件,年产值近1000亿美元。同时,通过与其它学科的结合,半导体自旋电子学、有机自旋电子学等均成为物理研究的前沿。因此,大量中外院士与专家认为自旋电子学及器件很有可能成为世界第四次产业革命的导火索。
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