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采用射频溅射制备Ba0．8Sr0．2TiO3（BST）薄膜，研究了测试温度（295～375K）对BST薄膜J-V（电流密度-电压）特性的影响。实验发现：J∝V^m在低场下（V〈1．8V）m≈1，高场下（V〉1．8V）m≈8。随着测试温度升高，在低场下电流密度增大，指数优值保持不变；而在高场下电流密度减小，指数优值减小。通过进一步分析发现：电流密度和温度的关系在低场下满足InJ∝-1/T，在高场下满足logJ∝1/t。