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研究了GaN晶片的化学机械抛光（CMP）工艺。分析了在CMP加工工艺过程中对GaN晶片表面质量所产生的影响。实验采用质量分数30％的H2O2溶液与铁经过Fenton化学反应20min后作为抛光液，并分别利用2种不同磨粒粒度W5和W0．5对晶片表面抛光，对不同工艺参数加工后的晶片表面进行测试分析，并推测加工过程中晶片表面可能发生的化学反应。图6表1参15