掺杂物对PSN—PSZT系统准同型相界附近的介电和压电性能的影响

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采用传统含铅压电陶瓷工艺制备了不同掺杂物(La2O3、MnO2、MnCO3、SiO2)掺杂0.02Pb(Nb1/2Sb1/2)O3-0.98Pb0.847Sr0.153(Zr0.55Ti0.45)O3系压电陶瓷材料(简称PSN-PSZT).研究了不同掺杂物对PSN-PSZT系准同型相界附近的介电和压电性能、频率温度系数的影响,得到了滤波器振子用压电材料,其性能为:平面机电耦合系数Kp=56%,机械品质因数Qm=560,介质损耗tgδ为0.9%,相对介电常数(εr)为1950,频率温度系数TKfr=30pp
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