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采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法，获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构．室温下观察到峰位为２４０ｅＶ光致发光．系统地研究了不同退火温度对薄膜的Ｒａｍａｎ谱、光荧光谱及光电子谱的影响．结果表明，荧光谱可分成两个不随温度变化的峰位为１８６和２３０ｅＶ的发光带．Ｓｉ２ｐ能级光电子谱表明与发光强度一样Ｓｉ４＋强度随退火温度增加而增加．Ｓｉ平均晶粒大小为４１—８０ｎｍ，不能用量子限制模型解释蓝绿光的发射．纳米晶硅与ＳｉＯ２界面或ＳｉＯ２中与氧有关的缺陷可能是蓝绿光发射的主要原因