【摘 要】
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基于第一性原理, 采用广义梯度近似, 理论研究了新型三元系BxGa1-xSb合金的能带结构, 分析了硼(B)的含量对BxGa1-xSb合金能带特性的影响。理论计算结果表明, 硼相对摩尔含量在0～18.75%范围内时, BxGa1-xSb的Γ1c-Γ15v帯隙宽度值随硼含量单调递增, 平均增速为17.5 meV/%B, 其能带弯曲参数为2.23 eV; 其X1c-Γ15v帯隙宽度值随硼含量单调递减, 平均减速为12.8 meV/%B; 当x
【机 构】
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北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京100876广东工业大学物理与光电工程学院,广东广州510006
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基于第一性原理, 采用广义梯度近似, 理论研究了新型三元系BxGa1-xSb合金的能带结构, 分析了硼(B)的含量对BxGa1-xSb合金能带特性的影响。理论计算结果表明, 硼相对摩尔含量在0～18.75%范围内时, BxGa1-xSb的Γ1c-Γ15v帯隙宽度值随硼含量单调递增, 平均增速为17.5 meV/%B, 其能带弯曲参数为2.23 eV; 其X1c-Γ15v帯隙宽度值随硼含量单调递减, 平均减速为12.8 meV/%B; 当x
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