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在真空蒸发硅的同时，分别用N离子和NH3离子轰击生长表面，获得具有不同H和N含量的a－SiNx和a－SiNx：H薄膜。对于这些薄膜，只要它们具有光电导特性，就可以观察到光电导衰减现象。实验分析表明，H在光电导衰减中不起直接作用，而是通过增大a－SiNx：H的光学能隙，使陷阱更为有效；以及减少Si≡Si－复合中心，从而有可能提高非平衡自由或流子密度和增强电荷被陷的速率，而间接地增强光电导衰减。